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    管式鍍膜PECVD

    發布日期:2021/11/16 5:50:29 瀏覽次數:692

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      管式鍍膜PECVD系統使用像擴散爐管一樣的石英管作為沉積腔室,使用電阻爐作為加熱體,將一個可以放置多片硅片的石墨舟插進石英管中進行沉積。

      對于晶體硅太陽能電池管式PECVD (等離子增強化學氣相沉積技術)氮化硅薄膜沉積技術,采用氨氣和硅烷作為等離子反應氣體源,采用石墨舟片做為硅片的承載板和射頻電極,常規的石墨舟由19片石墨舟片相間排列組裝而成,產量較低,必須通過增加管式PECVD機臺數來提高產量(一臺捷佳創管式PECVD〈4管 > 售價約500萬元),由此使得電池制造成本大幅度上升。因此,通過增加舟片,增加硅片的承載數量來提高產能,其成本要比增加爐管低很多;不過,增加舟片后,舟片外形上會變寬,而石英爐管的直徑有限,不能適用變寬的石墨舟,給改造帶來困難。為了保證整個舟的總寬度不變或變化不大,采取將舟片間的間距相應縮小來實現提聞廣能的目的。目如19片石墨舟相對舟片之間的間距為11mm,也就是射頻正負端電極之間的距離為11mm,是行業內普遍采用的間距,鍍膜均勻性也好;不過當間距進一步縮小時,會造成射頻和等離子電場不穩定,氮化硅薄膜沉積效果隨之變差,嚴重影響鍍膜品質,因此采用縮小舟片間距石墨舟進行氮化硅薄膜沉積的方法顯得很有必要。

      通過改變PECVD鍍膜過程中的腔體壓力、鍍膜前的恒溫時間及金字塔絨面均勻性、石墨舟清洗配方等因素進行實驗研究。結果顯示,適當降低PECVD鍍膜壓力,增加鍍膜前恒溫時間、提升鍍膜前硅片絨面均勻性、降低石墨舟表面粗糙度可以提升PECVD鍍膜均勻性。


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