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    單晶硅制絨設備

    發布日期:2021/11/16 5:54:39 瀏覽次數:640

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      制絨,光伏行業術語,處理太陽能級硅片的一種工藝方法,硅太陽能電池片生產的一道工序,單晶硅片在一定濃度范圍的堿溶液中被腐蝕時是各向異性的,不同晶向上的腐蝕速率不一樣,不管是單晶硅片還是多晶硅片,都可以用酸或者堿來處理。無論用哪種方法處理,一般情況下,用堿處理是為了得到金字塔狀絨面;用酸處理是為了得到蟲孔狀絨面。不管是哪種絨面,都可以提高硅片的陷光作用,但生產過程中容易產生灰塵,使得成品的表面不平整。

      單晶硅制絨設備包括箱體,所述箱體的頂部安裝有導柱,所述箱體的頂部一側安裝有限位塊,所述箱體的一側安裝有顯示器,所述顯示器的下方安裝有連接塊,所述連接塊的下方安裝有操作臺,所述顯示器的一側安裝有把手,所述箱體的一側安裝有連接管,所述連接管的另一端安裝有除塵器,所述除塵器的下方安裝有電動機,所述箱體的一側安裝有觀察窗口,所述箱體的一側開有散熱孔,所述箱體的底部四周安裝有支撐柱。

      非晶硅(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO),然后依次用等離子體反應沉積p型、i型、n型三層a-Si,接著再蒸鍍金屬電極鋁(Al).光從玻璃面入射,電池電流從透明導電膜和鋁引出,其結構可表示為glass/TCO/pin/Al,還可以用不銹鋼片、塑料等作襯底。
    硅材料是目前太陽電池的主導材料,在成品太陽電池成本份額中,硅材料占了將近40%,而非晶硅太陽電池的厚度不到1μm,不足晶體硅太陽電池厚度的1/100,這就大大降低了制造成本,又由于非晶硅太陽電池的制造溫度很低(~200℃)、易于實現大面積等優點,使其在薄膜太陽電池中占據首要地位,在制造方法方面有電子回旋共振法、光化學氣相沉積法、直流輝光放電法、射頻輝光放電法、濺謝法和熱絲法等。特別是射頻輝光放電法由于其低溫過程(~200℃),易于實現大面積和大批量連續生產,現成為國際公認的成熟技術。在材料研究方面,先后研究了a-SiC窗口層、梯度界面層、μC-SiC p層等,明顯改善了電池的短波光譜響應.這是由于a-Si太陽電池光生載流子的生成主要在i層,入射光到達i層之前部分被p層吸收,對發電是無效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更寬的光學帶隙,因此減少了對光的吸收,使到達i層的光增加;加之梯度界面層的采用,改善了a-SiC/a-Si異質結界面光電子的輸運特性.在增加長波響應方面,采用了絨面TCO膜、絨面多層背反射電極(ZnO/Ag/Al)和多帶隙疊層結構,即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al結構.絨面TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失,并增加了光在i層的傳播路程,從而增加了光在i層的吸收.多帶隙結構中,i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小,以便分段吸收太陽光,達到拓寬光譜響應、提高轉換效率之目的。在提高疊層電池效率方面還采用了漸變帶隙設計、隧道結中的微晶化摻雜層等,以改善載流子收集。


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